PBLS6021D,115原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	285
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 60 V
集电极连续电流	- 1.5 A
峰值直流集电极电流	- 3 A
Pd-功率耗散	370 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
发射极 - 基极电压 VEBO	- 5 V
高度	1 mm
长度	3.1 mm
宽度	1.7 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIRA12BDP-T1-GE3	Vishay Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥5.763 10:¥4.6669 100:¥3.5369 500:¥2.9267 3,000:¥2.1244 6,000:查看	参考库存:33427
NVD5C684NLT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6 60V LL DPAK	1:¥6.2263 10:¥5.198 100:¥3.3561 1,000:¥2.6894 2,500:¥2.2713	参考库存:47579
DMT6004LPS-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W	1:¥11.0627 10:¥9.4468 100:¥7.2772 500:¥6.4297 1,000:¥5.0737 2,500:¥5.0737	参考库存:18366
STD15N60M2-EP	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package	1:¥17.289 10:¥14.6787 100:¥11.752 500:¥10.2943 2,500:¥7.9891 5,000:查看	参考库存:3518
SQJB00EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified	1:¥9.4468 10:¥8.3733 100:¥6.8817 500:¥5.3788 3,000:¥3.8985 6,000:查看	参考库存:16670