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晶体管
MT3S113P(TE12L,F)参考图片

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MT3S113P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
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库存:42,203(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.0681
60.681
100
¥4.6669
466.69
500
¥4.1132
2056.6
1,000
¥3.2544
3254.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MT3S113P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7.7 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1.6 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
参考库存:38580
晶体管
MOSFET N Channel
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:30902
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥12.9837
10:¥10.9836
100:¥8.8366
500:¥7.684
3,000:¥5.9664
6,000:查看
参考库存:27264
晶体管
MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
1:¥28.3517
10:¥24.1255
100:¥20.905
250:¥19.8202
参考库存:7096
晶体管
MOSFET N-channel 9.0mohm MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.8985
25:¥3.164
100:¥2.9945
3,300:¥2.5764
9,900:查看
参考库存:13453
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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