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晶体管
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ZTX614STZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN Darlington
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3683.8
4,000
¥1.5594
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
最大直流电集电极电流
0.8 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX614
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
5000
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000 at 100 mA at 5 V, 10000 at 500mA at 5 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC201202FC-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥512.6019
参考库存:42708
HUFA76413DK8T-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER
2,500:¥5.4353
5,000:¥5.2432
10,000:¥5.0285
参考库存:42713
EFC2J011NUZTDG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 12V 55A WLCSP1
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
参考库存:42718
PTVA123501EC-V2-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥3,941.1236
参考库存:42723
IPD80N04S306ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
2,500:¥3.7629
10,000:¥3.616
25,000:¥3.5143
参考库存:42728

  • 海量现货

    50万现货SKU

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