FCPF250N65S3R0L原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220F-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	650 V
Id-连续漏极电流	12 A
Rds On-漏源导通电阻	250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	24 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	31 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
系列	SuperFET3
晶体管类型	1 N-Channel SuperFET III MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	7.2 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	13 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	15 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FZ400R12KE3B1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 650A	1:¥867.1394 5:¥851.229 10:¥812.8881 25:¥785.8472	参考库存:3170
STH130N8F7-2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 80 V, 4.2 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package	1:¥14.2154 10:¥12.0684 100:¥9.6841 500:¥8.4524 1,000:¥7.0286	参考库存:8157
IPD65R225C7	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7	1:¥17.063 10:¥14.5205 100:¥11.6051 500:¥10.1474 1,000:¥8.3733 2,500:¥8.3733	参考库存:15659
APT38F80B2	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power FREDFET - MOS8	1:¥147.6119 10:¥134.1649 25:¥124.0966 50:¥117.3392	参考库存:3346
STL50DN6F7	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package	1:¥6.4523 10:¥5.3675 100:¥3.4578 1,000:¥2.7685 3,000:¥2.3391	参考库存:3203