FCPF250N65S3R0L原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220F-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	650 V
Id-连续漏极电流	12 A
Rds On-漏源导通电阻	250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	24 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	31 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
系列	SuperFET3
晶体管类型	1 N-Channel SuperFET III MOSFET
商标	ON Semiconductor
下降时间	7.2 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	13 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	15 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI4431CDY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8	1:¥6.0681 10:¥4.9042 2,500:¥4.9042	参考库存:73588
IRLR3705ZTRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl	1:¥11.8311 10:¥10.1474 100:¥7.7631 500:¥6.8817 1,000:¥5.4353 2,000:¥5.4353	参考库存:38035
FDMC86520L	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET	1:¥12.6786 10:¥10.7576 100:¥8.6106 500:¥7.5371 3,000:¥5.8195 6,000:查看	参考库存:44522
IPB027N10N3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3	1:¥40.7252 10:¥34.578 100:¥29.9676 250:¥28.4308 1,000:¥21.5152 2,000:查看	参考库存:48629
STI20N65M5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5	1:¥29.041 10:¥24.6679 100:¥21.357 250:¥20.2835	参考库存:7376