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晶体管
A2T23H200W23SR6参考图片

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A2T23H200W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥521.5854
521.5854
5
¥511.9804
2559.902
10
¥498.7707
4987.707
25
¥488.9284
12223.21
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.5 dB
输出功率
51 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935347117128
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCV27,215
Nexperia
晶体管
达林顿晶体管 NPN 30V 500mA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:17521
TPN6R003NL,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
1:¥7.2998
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
3,000:¥2.4408
参考库存:27593
UMG6NTR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:27598
SSM6N17FU(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
1:¥4.9155
10:¥3.5143
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.76049
参考库存:27603
TP2635N3-G P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.0626
10:¥8.3733
25:¥6.9947
100:¥6.3054
250:¥5.876
2,000:¥5.876
参考库存:27608

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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