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晶体管
A2T23H200W23SR6参考图片

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A2T23H200W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥521.5854
521.5854
5
¥511.9804
2559.902
10
¥498.7707
4987.707
25
¥488.9284
12223.21
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.5 dB
输出功率
51 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935347117128
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHP6N40D-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥8.8366
10:¥7.2659
100:¥5.5709
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
参考库存:8664
2N6052
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
1:¥46.0249
10:¥45.6407
25:¥41.5727
100:¥37.4934
250:¥34.4198
参考库存:5596
2SA2222SG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 10A 50V
1:¥6.6105
10:¥5.6952
100:¥4.3731
500:¥3.8646
参考库存:12613
MMDT4413-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 / 40V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:34435
MJE5730G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 300V 40W PNP
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1133
500:¥5.3901
1,000:¥4.2601
参考库存:10182

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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