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晶体管
MRFX1K80N-88MHZ参考图片

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MRFX1K80N-88MHZ

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-88MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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数量单价合计
1
¥7,538.23
7538.23
5
¥7,457.2429
37286.2145
10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
43 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 179 V
增益
24.4 dB
输出功率
1.8 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX1K80
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
44.7 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
3333 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935369639598
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQP120N10-3M8_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 100V AEC-Q101 Qualified
1:¥27.1991
10:¥22.5096
100:¥18.5998
250:¥18.2156
参考库存:6771
GSM-065-120-1-N-0
GaN Systems
晶体管
MOSFET 650V, 120A, 12 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module
1:¥2,657.2063
参考库存:24706
BFP 196W H6327
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.59212
参考库存:32988
NVMFS5113PLWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
1,500:¥8.5315
4,500:查看
参考库存:17795
IPD50P03P4L-11
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4918
2,500:¥3.842
10,000:查看
参考库存:41807

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    50万现货SKU

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