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晶体管
DXTP3C100PSQ-13参考图片

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DXTP3C100PSQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.373
237.3
1,000
¥1.8419
1841.9
2,500
¥1.5594
3898.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 100 V
集电极—基极电压 VCBO
- 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 360 mV
最大直流电集电极电流
- 3 A
增益带宽产品fT
125 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
97 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N4261UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥262.4877
250:¥240.8934
参考库存:58137
TK50E06K3(S1SS-Q)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
暂无价格
参考库存:58142
STL30P3LLH6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 package
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:23410
2N335A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥428.609
200:¥404.6417
参考库存:58149
2N5459
Central Semiconductor
晶体管
JFET N-Ch 25Vds 25Vdg Engineering Hold
2,500:¥12.7577
5,000:¥12.2944
参考库存:58154

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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