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晶体管
DMG302PU-13参考图片

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DMG302PU-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W
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¥0.80682
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
13 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
960 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
350 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
450 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMG302
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.1 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6987/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥394.1892
200:¥372.1316
参考库存:56385
2N930/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥55.483
129:¥55.483
200:¥51.0195
500:¥46.4882
1,000:¥40.4992
参考库存:56390
JAN2N2369AUA
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥284.0029
250:¥265.0189
参考库存:56395
ALD310700PCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥36.1939
100:¥34.4989
250:¥30.1936
500:¥29.3574
参考库存:56400
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Vceo=-50V Vceo=50V
暂无价格
参考库存:56405

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