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晶体管
DMN2053UVT-7参考图片

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DMN2053UVT-7

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库存:44,616(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.5425
25.425
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.7684
2305.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
3.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.5 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥27.3573
10:¥23.2102
100:¥20.1366
250:¥19.1309
参考库存:3387
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
参考库存:6364
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A SOT-416
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:34386
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
1:¥7.9891
10:¥6.5314
100:¥5.0059
500:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:176038
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥43.6406
10:¥37.1092
100:¥32.1146
250:¥30.51
500:¥27.3573
参考库存:2615
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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