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晶体管
STH315N10F7-6参考图片

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STH315N10F7-6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
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库存:12,296(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.7987
41.7987
10
¥35.5724
355.724
100
¥30.8151
3081.51
250
¥29.1992
7299.8
1,000
¥22.1254
22125.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH315N10F7-6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
108 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
148 ns
典型接通延迟时间
62 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45 V 100 mA
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:181794
晶体管
IGBT 模块
102:¥1,755.6358
参考库存:44813
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥133.0914
10:¥120.9439
25:¥111.8813
50:¥105.8132
参考库存:1471
晶体管
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
1:¥39.6517
10:¥35.4255
25:¥31.8886
50:¥31.0411
参考库存:2138
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
800:¥11.1418
2,400:查看
参考库存:36250
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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