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射频晶体管
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ARF1500

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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库存:1,082(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,386.1145
1386.1145
2
¥1,352.7682
2705.5364
5
¥1,333.0158
6665.079
10
¥1,314.1222
13141.222
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
60 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
17 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
40 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
6 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
10 ns
Pd-功率耗散
1.5 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S020N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥201.479
5:¥198.4054
10:¥185.7946
25:¥167.0479
500:¥144.075
参考库存:37168
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
10,000:¥1.04525
参考库存:55334
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥404.1784
250:¥404.1784
参考库存:6101
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
1:¥6,372.7254
50:¥6,372.7254
参考库存:3288
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥11.6051
10:¥8.8366
100:¥6.4523
500:¥5.4918
参考库存:6610
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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