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射频晶体管
PTFB210801FA-V1-R250参考图片

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PTFB210801FA-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥383.6576
95914.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1000
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
250:¥315.044
参考库存:3794
MRF426
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥293.5288
10:¥243.2777
25:¥236.509
50:¥229.7516
100:¥175.1161
参考库存:1706
MHT1108NT1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1:¥89.9819
10:¥82.7612
25:¥79.3034
100:¥69.8453
1,000:¥57.0198
参考库存:35797
SD2932BW
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
90:¥1,071.3078
参考库存:35802
NESG7030M04-EVDB-A
Renesas Electronics
射频晶体管
射频开发工具 NF .75dB Gain 14dB Eval Brd Dual Band
暂无价格
参考库存:35807

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