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射频晶体管
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VRF2933

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥860.608
860.608
2
¥833.8722
1667.7444
5
¥833.6349
4168.1745
10
¥806.7409
8067.409
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
42 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
25 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
30 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
8 mS
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 640ESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:22689
BFR 193L3 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.07576
15,000:¥0.791
参考库存:79356
VRF157FLMP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥3,869.3573
参考库存:38497
AFT31150NR5
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz
1:¥1,566.5416
5:¥1,531.5794
10:¥1,500.2219
25:¥1,478.0965
50:¥1,424.3876
参考库存:4523
QPD1008
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:4605

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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