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射频晶体管
BFR 182W H6327参考图片

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BFR 182W H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.1866
31.866
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR182
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR182WH6327XT BFR182WH6327XTSA1 SP000750420
单位重量
60 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF161MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥858.6079
2:¥831.9512
5:¥831.7139
10:¥804.899
参考库存:3495
PXAC241002FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:37621
QPA9842EVB-01
Qorvo
射频晶体管
射频开发工具 3.4-3.8 GHz .25W Eval Board
暂无价格
参考库存:37626
STAC3932B
STMicroelectronics
射频晶体管
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1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:37631
VRF151MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥745.8904
2:¥722.7593
5:¥722.522
10:¥699.244
参考库存:3502

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