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射频晶体管
3SK293(TE85L,F)参考图片

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3SK293(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥2.7572
27.572
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.12209
1122.09
3,000
¥0.96841
2905.23
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
22.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
800 MHz
系列
3SK293
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MHT1008NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1008N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥123.4073
10:¥113.4972
25:¥108.4235
100:¥95.824
1,000:¥75.9134
参考库存:11423
CGH27015F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
1:¥531.1226
参考库存:7035
BF246A
Central Semiconductor
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch Amplifier 39Vdg -30V 10mA
1:¥11.9102
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:17852
AFT09S200W02NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
1:¥798.6727
5:¥783.1578
10:¥757.3373
25:¥725.2905
250:¥650.2924
参考库存:40868
BFR 360L3 E6765
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
15,000:¥0.64523
参考库存:40059

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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