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射频晶体管
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LET9060

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
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数量单价合计
400
¥340.3221
136128.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
技术
Si
增益
17.2 dB
输出功率
60 W
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
工作频率
1 GHz
系列
LET9060
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGHV35060MP
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt
250:¥1,071.9971
参考库存:40171
RF2317PCK-75OHM
Qorvo
射频晶体管
射频开发工具
暂无价格
参考库存:40176
AFT09S200W02SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S200W02S/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥650.2924
参考库存:40181
MRF1K50GNR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
1:¥1,334.9368
5:¥1,306.7433
10:¥1,278.5385
25:¥1,246.2657
50:¥1,213.9138
参考库存:6267
MMBT5401-G
Comchip Technology
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA
1:¥2.147
10:¥1.3673
100:¥0.62263
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.29945
参考库存:23299

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    50万现货SKU

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