TGF2941原装正品_库存数量_PDF手册

射频晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：36,326(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	290 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5.1 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113821

商品其它信息

原装正品，最快4小时发货

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MT3S111P(TE12L,F)	Toshiba	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W	1:¥6.9156 10:¥5.4918 100:¥4.2149 500:¥3.729 1,000:¥2.938	参考库存:20483
RFM00U7U(TE85L,F)	Toshiba	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V	1:¥10.2152 10:¥8.2264 100:¥6.2828 500:¥5.5596 3,000:¥3.8872	参考库存:35759
A3G20S250-01SR3	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP	1:¥725.8329 5:¥702.3967 10:¥688.3282 25:¥644.9927 100:¥622.7882 250:¥599.4311	参考库存:2875
PTFB201402FC-V2-R250	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥548.8636	参考库存:35766
MDS500L	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor	1:¥4,211.9846 5:¥3,947.5759	参考库存:35771