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射频晶体管
BFT25A,215参考图片

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BFT25A,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 5V 5GHZ
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.9323
1932.3
3,000
¥1.6272
4881.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
6.5 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
8 V
直流电流增益 hFE 最大值
50
高度
1 mm
长度
3 mm
工作频率
5000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
5000 MHz
最大直流电集电极电流
0.0065 A
Pd-功率耗散
32 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934008580215
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU520YX
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥5.3788
10:¥4.7008
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
3,000:¥2.2261
9,000:¥2.1583
参考库存:12584
MRFE6VP5600HR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
1:¥1,020.277
5:¥1,000.5359
10:¥967.4947
25:¥926.5322
150:¥830.7986
参考库存:4506
MHT1001HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4GHZ HV6 40W
1:¥1,530.4946
5:¥1,496.3799
10:¥1,465.8021
25:¥1,444.1287
50:¥1,391.7306
参考库存:38352
TPR175
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
50:¥994.0045
参考库存:38357
JAN2N2857UB/TR
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
100:¥453.8984
200:¥428.5412
参考库存:38362

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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