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射频晶体管
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BFU580QX

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.3393
63.393
100
¥4.859
485.9
500
¥4.3053
2152.65
1,000
¥3.4013
3401.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT89-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
130
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
10.5 GHz
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934067976115
单位重量
40.337 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ASMA203
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥816.425
10:¥749.19
25:¥672.35
50:¥595.51
参考库存:39250
0910-60M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,552.0824
25:¥2,517.1202
参考库存:39255
MRF3866
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:5536
NE5550979A-EV04-A
CEL
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
1:¥960.50
参考库存:39262
RFCM3327PCBA-410
Qorvo
射频晶体管
射频开发工具 Fully Assembled Evaluation Board
暂无价格
参考库存:39267

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