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射频晶体管

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：	此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	14 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	1 A
输出功率	14 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	15.8 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.5 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113812

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMRF1310HR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13	1:¥855.2292 5:¥838.5504 10:¥810.888 25:¥776.6264 50:¥765.9366	参考库存:6305
AFT20P140-4WNR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4	1:¥599.7362 5:¥582.289 10:¥569.7686 25:¥545.8691 250:¥484.0129	参考库存:40346
SD2933W	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz	1:¥955.2794 5:¥936.5214 10:¥892.8808 25:¥874.1341	参考库存:6227
PD84010TR-E	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz	1:¥126.6278 10:¥116.4917 25:¥111.644 100:¥98.3552 600:¥87.5185	参考库存:40353
T2G6003028-FL	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged	1:¥1,213.4618 25:¥1,095.1282	参考库存:8719