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射频晶体管
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D5017UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-50V-175MHz SE
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¥383.0474
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
18 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
10 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DM
配置
Single
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFS20W,115
Nexperia
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS HV TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:16085
MMRF1006HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:38151
CGHV40320D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
暂无价格
参考库存:38156
PXAC261002FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:38161
PD57018TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥249.0407
5:¥246.4304
10:¥229.6725
25:¥219.3782
600:¥178.1106
参考库存:38166

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