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射频晶体管
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STAC3933

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
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数量单价合计
1
¥836.0192
836.0192
5
¥820.6512
4103.256
10
¥783.6889
7836.889
25
¥757.5633
18939.0825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
29 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Tube
配置
Dual Common Source
工作频率
30 MHz
系列
STAC3933
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
8 S
Pd-功率耗散
795 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥646.5295
参考库存:35722
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
10:¥2,606.4919
25:¥2,512.5098
参考库存:35727
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:385378
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V
1:¥103.8922
10:¥95.5076
25:¥91.5978
100:¥80.682
500:¥71.7663
参考库存:4015
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET
1:¥233.4354
5:¥223.1411
10:¥215.3102
25:¥187.8738
500:¥162.0533
参考库存:3237
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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