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射频晶体管
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PTFB182503FL-V2-R0

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数量单价合计
50
¥823.8039
41190.195
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
19 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF1513NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5
1:¥81.9928
10:¥74.0715
25:¥64.6247
100:¥61.3929
1,000:¥45.1774
参考库存:9974
MRF6V14300HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
1:¥2,312.4207
5:¥2,276.8483
10:¥2,242.9596
25:¥2,194.5504
50:¥2,160.8199
参考库存:39565
PTAB182002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥714.0696
参考库存:39570
SD1477
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:39575
PXAC182908FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,036.2665
参考库存:39580

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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