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射频晶体管
55GN01CA-TB-E参考图片

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55GN01CA-TB-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 SWITCHING DEVICE
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库存:48,943(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2374
22.374
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.56048
1681.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
55GN01CA
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
+ 25 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
180
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
5.5 GHz
工作温度范围
+ 25 C to + 150 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
增益带宽产品fT
4.5 GHz
最大直流电集电极电流
70 mA
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥371.6005
参考库存:38850
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10mA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
参考库存:30191
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H100-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥700.1706
5:¥686.5654
10:¥663.8976
25:¥635.7719
250:¥570.0737
参考库存:38857
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥658.903
5:¥646.0662
10:¥624.7883
25:¥598.3576
250:¥536.5014
参考库存:38862
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
1:¥2.8476
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:73388
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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