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射频晶体管
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D2001UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-28V- 1GHz SE
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库存:38,778(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥371.8265
18591.325
100
¥361.6113
36161.13
250
¥356.4585
89114.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
500:¥2,127.3945
参考库存:37214
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:41475
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,731.5894
参考库存:37221
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
1:¥297.6759
5:¥282.613
10:¥277.6975
25:¥251.7301
500:¥214.7678
参考库存:4617
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
1:¥615.4884
25:¥543.869
100:¥480.5551
200:¥451.7401
参考库存:3594
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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