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射频晶体管
TGF2977-SM参考图片

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TGF2977-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
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数量单价合计
1
¥185.5686
185.5686
25
¥160.5165
4012.9125
100
¥138.8544
13885.44
250
¥129.0912
32272.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
326 mA
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
8.4 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
3 mm
工作频率
DC to 12 GHz
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2977-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1127257
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 840ESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:16028
MRF8P29300HR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230
150:¥2,665.8847
参考库存:39449
BYI-1F
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
75:¥772.5471
100:¥748.0374
参考库存:39454
D2013UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-1GHz SE
1:¥1,011.2935
10:¥889.2648
25:¥790.4576
50:¥709.075
参考库存:39459
UML3
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 225-400MHz Pout = 3W
1:¥363.069
5:¥349.622
参考库存:39464

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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