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射频晶体管

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AFT26HW050SR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
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数量单价合计
1
¥607.262
607.262
5
¥589.5888
2947.944
10
¥576.9893
5769.893
25
¥552.7056
13817.64
250
¥490.081
122520.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
增益
15 dB
输出功率
9 W
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
系列
AFT26HW050S
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935311158128
单位重量
4.652 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:5302
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥700.0124
参考库存:39293
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN
1:¥1,386.8038
25:¥1,251.5654
参考库存:5289
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
暂无价格
参考库存:39300
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
10,000:¥1.04525
参考库存:55166
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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