您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
BFP 520 H6327参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BFP 520 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:13,422(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6668
26.668
100
¥1.4464
144.64
1,000
¥1.08367
1083.67
3,000
¥0.9379
2813.7
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP520
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
50 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
45 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
125 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP520H6327XTSA1 BFP52H6327XT SP000745280
单位重量
7 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:5097
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L
150:¥1,174.2734
参考库存:39233
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:53669
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S012N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥126.0967
10:¥115.9493
25:¥111.192
100:¥97.971
1,000:¥79.9136
参考库存:39240
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
暂无价格
参考库存:39245
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:17080955875

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

17080955875

微信联系我们 微信扫码联系我们