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射频晶体管
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D1213UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE
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数量单价合计
100
¥325.7225
32572.25
250
¥318.0385
79509.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DBC1-8
配置
Single
高度
3.25 mm
长度
6.47 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
8.43 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
58 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
光学传感器开发工具 RB-SERIES 1MM 35U SMA
1:¥1,392.725
参考库存:5696
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-500MHz PP
1:¥1,536.6418
10:¥1,353.9208
25:¥1,229.3609
50:¥1,079.828
参考库存:39802
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing
6,000:¥0.30736
9,000:¥0.26103
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.20001
参考库存:39807
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
1:¥2,755.7084
5:¥2,713.3786
10:¥2,673.0376
25:¥2,615.3285
50:¥2,575.1344
参考库存:5923
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel
1:¥1,121.5589
5:¥1,099.7386
10:¥1,063.4656
25:¥1,018.4351
50:¥1,004.457
参考库存:5925
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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