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射频晶体管
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LET9120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz
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库存:40,146(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,392.5668
1392.5668
5
¥1,359.0736
6795.368
10
¥1,325.3318
13253.318
25
¥1,306.7433
32668.5825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
18 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
18 dB
输出功率
120 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M246
封装
Bulk
配置
Dual
工作频率
1.6 GHz
系列
LET9120
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
60
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
200:¥315.044
参考库存:6534
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥408.8679
250:¥408.8679
参考库存:40310
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:18226
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:40317
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB
1:¥963.4154
5:¥884.0442
10:¥793.373
25:¥702.7018
参考库存:40322
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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