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射频晶体管
AFT20P140-4WNR3参考图片

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AFT20P140-4WNR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4
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数量单价合计
1
¥599.7362
599.7362
5
¥582.289
2911.445
10
¥569.7686
5697.686
25
¥545.8691
13646.7275
250
¥484.0129
121003.225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
500 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
17.8 dB
输出功率
24 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1880 MHz to 2025 MHz
系列
AFT20P140_4WN
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
0.6 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935323357528
单位重量
3.192 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥700.0124
参考库存:39293
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN
1:¥1,386.8038
25:¥1,251.5654
参考库存:5289
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
暂无价格
参考库存:39300
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
10,000:¥1.04525
参考库存:55166
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥1,284.5388
2:¥1,253.6446
5:¥1,235.2821
10:¥1,217.7558
参考库存:39307
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    50万现货SKU

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