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NAND闪存
TH58NYG2S3HBAI4参考图片

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TH58NYG2S3HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥41.0303
41.0303
10
¥37.4256
374.256
25
¥36.725
918.125
50
¥36.499
1824.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NAND闪存
NAND闪存 SLC 1G 64MX16 FBGA
暂无价格
参考库存:52958
NAND闪存
NAND闪存 SLC 8G 1GX8 TSOP
1:¥100.1971
10:¥93.5866
25:¥93.2815
50:¥89.9028
参考库存:52963
NAND闪存
NAND闪存 MLC 64G 8GX8 TSOP
1:¥64.2405
10:¥59.0877
25:¥57.856
50:¥57.7091
参考库存:52968
NAND闪存
NAND闪存
1,120:¥222.4518
参考库存:52973
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1,000:¥51.2568
参考库存:52978
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    50万现货SKU

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