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NAND闪存
TC58NYG2S0HBAI6参考图片

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TC58NYG2S0HBAI6

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥37.6516
37.6516
10
¥34.352
343.52
50
¥33.4254
1671.27
100
¥30.0467
3004.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VFBGA-67
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
338
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NAND闪存
NAND闪存 512Mb Serial NAND flash, 3V
480:¥15.2098
960:¥15.142
1,440:¥14.1363
5,280:¥12.7577
参考库存:52425
NAND闪存
NAND闪存 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8
2,500:¥41.1094
参考库存:52430
NAND闪存
NAND闪存 SLC 1G 1GX1 SOIC
1:¥42.1829
10:¥38.4991
25:¥37.7307
50:¥37.4934
1,000:¥30.1258
参考库存:4612
NAND闪存
NAND闪存
1,120:¥98.0501
参考库存:52437
NAND闪存
NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP
暂无价格
参考库存:52442
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    50万现货SKU

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