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NAND闪存
TC58NYG2S0HBAI4参考图片

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TC58NYG2S0HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥36.1148
36.1148
10
¥32.7361
327.361
25
¥32.0468
801.17
50
¥31.8095
1590.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NAND闪存
NAND闪存 Nand
2,300:¥38.4991
参考库存:49537
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1,000:¥55.6299
参考库存:49542
NAND闪存
NAND闪存 MLC 128G 16GX8 FBGA
1,520:¥68.6136
参考库存:49547
NAND闪存
NAND闪存 SLC 4G 4GX1 UPDFN
2,000:¥20.6677
4,000:¥19.21
参考库存:49552
NAND闪存
NAND闪存 1G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8
1:¥23.8995
10:¥21.5152
25:¥21.2101
50:¥21.131
参考库存:3339
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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