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THGAF8T1T83BAIR

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数量单价合计
1
¥1,075.6018
1075.6018
5
¥986.2414
4931.207
10
¥937.674
9376.74
25
¥935.0637
23376.5925
50
¥909.8647
45493.235
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
通用闪存存储 (UFS)
RoHS
是
存储容量
256 GB
工作电源电压
2.7 V to 3.6 V
接口类型
UFS 2.1
最小工作温度
- 25 C
最大工作温度
+ 85 C
封装 / 箱体
VFGBA-153
尺寸
11.5 mm x 13 mm x 1 mm
型号
v2.1 Gen 6
封装
Tray
系列
THGAF
商标
Toshiba Memory
安装风格
SMD/SMT
电源电流—最大值
200 mA
湿度敏感性
Yes
产品类型
Universal Flash Storage (UFS)
工厂包装数量
152
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAF1608FAD151CT000
TDK
铁氧体
铁氧体磁珠
1:¥2.2261
10:¥1.7741
100:¥1.01474
500:¥0.86106
4,000:¥0.62263
参考库存:20407
2743037447
Fair-Rite
铁氧体
铁氧体磁珠 43 SM BEAD Z=100 OHM @250MHz
1:¥1.07576
50:¥0.82942
100:¥0.75258
500:¥0.68365
2,800:¥0.68365
参考库存:68644
ESD-R-38N-H
KEMET
铁氧体
铁氧体环形磁路/磁环 42x16.7x17mm 300MHz Ni-Zn 120C
1:¥46.7142
10:¥41.4936
50:¥36.3408
100:¥33.1994
参考库存:4196
B64290A0659X010
EPCOS / TDK
铁氧体
铁氧体环形磁路/磁环 R 40/24/16 K10 TOROID
1:¥80.7611
10:¥72.6929
25:¥54.9406
50:¥53.3247
参考库存:4158
HI0603T260R-10
Laird Performance Materials
铁氧体
铁氧体磁珠 Broadband,1Ln 0603,HI
1:¥0.99892
10:¥0.91417
25:¥0.86106
50:¥0.83733
参考库存:51995

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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