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分立半导体

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FZ1200R33KF2C

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库存:27,105(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14,643.783
14643.783
5
¥14,409.647
72048.235
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO
3300 V
集电极—射极饱和电压
3.4 V
在25 C的连续集电极电流
2000 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
14.5 kW
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-9
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
190 mm
宽度
140 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ1200R33KF2CNOSA1 SP000100603
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 20A 400V
1:¥12.9046
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥6.7348
800:¥6.3958
参考库存:6720
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=20V, IO=500mA
1:¥3.0736
10:¥1.7176
100:¥0.82264
1,000:¥0.56839
4,000:¥0.43053
参考库存:42382
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.9945
10:¥2.1131
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:30319
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30Vr 21Vrms 100mA 500mA Ifsm 30Vbr
1:¥4.3844
10:¥2.5312
100:¥1.1865
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.69156
20,000:查看
参考库存:95911
分立半导体
桥式整流器 4.0 Amp 200 Volt 150 Amp IFSM
1:¥11.30
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥5.8986
参考库存:4698
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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