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分立半导体

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BSM300GB120DLC

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库存:6,425(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,819.413
1819.413
5
¥1,775.6142
8878.071
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
625 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2500 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM300GB120DLCHOSA1 SP000095949
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 600V .8A 50uA
2,000:¥2.9719
参考库存:33826
分立半导体
JFET N-Ch -40V JFET 50mA 300mW 1.7mW Audio
115:¥57.3249
500:¥52.2512
1,000:¥45.4938
参考库存:33831
分立半导体
达林顿晶体管 100Vcbo 100Vceo 5.0V IC 9A 80W
800:¥15.2098
参考库存:33836
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011HS/CFM2F///REEL 13
50:¥3,427.4482
参考库存:33841
分立半导体
稳压二极管 500MW 8.2V
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:727232
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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