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分立半导体
FZ800R12KS4_B2参考图片

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FZ800R12KS4_B2

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数量单价合计
1
¥7,498.5896
7498.5896
5
¥7,378.7192
36893.596
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.7 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
7.6 kW
封装 / 箱体
IHM130
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ800R12KS4B2NOSA1 SP000100554
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4745CPE3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥6.328
4,500:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:28860
FESF16FT-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 300 Volt 16 Amp 35ns Single
1,000:¥8.6106
参考库存:28865
1N5367AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,250:¥5.7969
2,500:¥5.3788
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7912
参考库存:28870
PMP5201G,135
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.82264
50,000:¥0.791
100,000:¥0.76049
参考库存:28875
3EZ13D2E3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥6.328
4,500:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:28880

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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