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分立半导体

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BSM200GD60DLC

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库存:31,267(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,094.6584
2094.6584
5
¥2,044.2491
10221.2455
10
¥1,993.5347
19935.347
25
¥1,965.5672
49139.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
226 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
700 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GD60DLCBOSA1 SP000100395
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
5,000:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:78595
分立半导体
MOSFET SUPREMOS 76A IN TO3P
1:¥116.4917
10:¥107.1127
25:¥102.6605
100:¥90.4452
参考库存:7122
分立半导体
MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
2,000:¥5.8534
参考库存:18939
分立半导体
双向可控硅 25 Amp 600 Volt
1:¥38.7251
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:7836
分立半导体
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
1:¥27.5833
10:¥23.4362
100:¥20.3626
250:¥19.2891
参考库存:7558
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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