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分立半导体

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STGD6NC60H-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
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库存:30,000(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.78
678
500
¥5.989
2994.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
IPAK-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD6NC60H-1
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Channel 1.1 Ohm 200V 1A STripFET II
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:34377
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5879
500:¥5.8195
1,000:¥4.5991
3,000:¥4.5991
参考库存:4039
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.0A 40V
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:61691
分立半导体
IGBT 晶体管 15 AMP, 410V CLAMP
1:¥12.9046
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥6.7348
800:¥6.4071
参考库存:7338
分立半导体
整流器 100 Volt 2.0A 15ns 50 Amp IFSM
1:¥3.4578
10:¥2.6668
100:¥1.9775
500:¥1.6272
1,000:¥1.2656
4,000:¥1.07576
参考库存:22045
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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