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分立半导体
MRF8VP13350GNR3参考图片

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MRF8VP13350GNR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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库存:31,778(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,033.1929
258298.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 100 V
增益
19.2 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780G-4
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF8VP13350
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935320727528
单位重量
3.065 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥51.7088
10:¥46.5673
25:¥42.4202
100:¥38.2618
参考库存:31058
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:31063
分立半导体
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJA72EP-T1_GE3
3,000:¥4.9042
6,000:¥4.6556
9,000:¥4.4748
参考库存:31068
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥85.4506
10:¥76.9191
25:¥70.0826
50:¥65.2349
参考库存:31073
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 600V 16A
1:¥156.2903
5:¥154.6744
10:¥144.1541
25:¥137.7018
参考库存:31078
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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