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分立半导体
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2SK3079ATE12LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
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数量单价合计
1,000
¥9.379
9379
2,000
¥8.6784
17356.8
5,000
¥8.3733
41866.5
10,000
¥8.0682
80682
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
10 V
增益
13.5 dB
输出功率
2.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3079
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPI084N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 50A I2PAK-3
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4467
500:¥6.5766
参考库存:6945
SMUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SS BR XSTR DUAL 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:23522
PDZVTFTR5.6B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 5.6-6.3V 40mA SOD-128; PMDTM
1:¥2.8476
10:¥2.1696
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
参考库存:16549
MMSZ5252C-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 0.5W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.83733
500:¥0.71416
10,000:¥0.31527
20,000:查看
参考库存:101951
NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Matched NPN Tra
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:75953

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    4小时快速发货

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