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分立半导体
2SK3079ATE12LQ参考图片

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2SK3079ATE12LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
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数量单价合计
1,000
¥9.379
9379
2,000
¥8.6784
17356.8
5,000
¥8.3733
41866.5
10,000
¥8.0682
80682
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
10 V
增益
13.5 dB
输出功率
2.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3079
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST230C16C1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 410 Amp 1600 Volt 780 Amp IT(RMS)
12:¥580.7522
36:¥562.0846
60:¥554.5588
108:¥524.5912
参考库存:43820
JAN1N975CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥83.3714
200:¥75.9925
500:¥71.1561
1,000:¥65.2349
参考库存:43825
JAN1N965CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥81.8346
250:¥74.6139
500:¥69.8453
1,000:¥64.0032
参考库存:43830
JAN1N3042B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥86.8292
200:¥79.1452
500:¥74.0715
1,000:¥67.9243
参考库存:43835
JAN1N5616US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥79.0661
250:¥72.0714
500:¥67.461
1,000:¥61.8562
参考库存:43840

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