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分立半导体
BTA412Y-600C,127参考图片

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BTA412Y-600C,127

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS
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库存：34,721(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥6.8817
68.817
100
¥5.2997
529.97
500
¥4.6782
2339.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双向可控硅
RoHS
是
开启状态RMS电流 - It RMS
12 A
不重复通态电流
153 A
额定重复关闭状态电压 VDRM
600 V
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
0.4 mA
开启状态电压
1.3 V
保持电流Ih最大值
35 mA
栅极触发电压-Vgt
0.8 V
栅极触发电流-Igt
35 mA
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
商标
WeEn Semiconductors
产品类型
Triacs
工厂包装数量
1000
子类别
Thyristors
零件号别名
934061315127 BTA412Y-600C
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB042N10N3 G E8187
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
1,000:¥10.5316
2,000:¥9.831
5,000:¥9.4468
10,000:¥9.0626
参考库存:31517
IPP320N20N3GXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.368
250:¥14.5205
参考库存:7188
SIHP22N60E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥35.5046
10:¥31.7304
100:¥26.2047
250:¥23.278
500:¥21.4361
参考库存:7195
FF600R17ME4_B11
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology
1:¥2,314.4999
5:¥2,258.7909
10:¥2,202.6977
25:¥2,171.8035
参考库存:2227
R8002ANJFRGTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:7199

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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