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分立半导体
MMRF1314HSR5参考图片

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MMRF1314HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314HS/CFM4F///REEL 13
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数量单价合计
50
¥3,779.1494
188957.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.7 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S-4
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
909 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935313112178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STU85N3LH5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 30V
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:84727
NTSB30U100CTT4G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A 100V LVFR DUAL
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1868
800:¥5.9551
参考库存:20529
IRFS3206TRRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
500:¥13.5261
800:¥13.5261
参考库存:11171
SI7478DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥20.4417
10:¥18.4416
100:¥14.8256
500:¥11.526
3,000:¥11.526
参考库存:26623
SQD70140EL_GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥9.4468
10:¥8.3733
100:¥6.7574
500:¥5.2432
2,000:¥3.7403
4,000:查看
参考库存:177070

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    50万现货SKU

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