RN2905FE(TE85L,F)原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.0468
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	US-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2905
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMN3150LW-7	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 0.35W 28V 1.6A	1:¥3.6838 10:¥2.8702 100:¥1.5481 1,000:¥1.1639 3,000:¥1.00683 9,000:¥0.9379	参考库存:59296
FMMT459TA	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-V Sw 500V	1:¥4.3053 10:¥3.5821 100:¥2.1809 1,000:¥1.695 3,000:¥1.4464	参考库存:61653
RND030N20TL	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET	1:¥5.6839 10:¥4.6895 100:¥3.0284 1,000:¥2.4295 2,500:¥2.0453	参考库存:13090
2N7002LT3G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 60V 115mA N-Channel	1:¥1.7628 10:¥1.2317 100:¥0.51528 1,000:¥0.35369 10,000:¥0.23843 20,000:查看	参考库存:489022
ZVN4525ZTA	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Chnl 250V	1:¥6.3054 10:¥5.2432 100:¥3.3787 1,000:¥2.7007	参考库存:27379