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分立半导体
CSD17556Q5BT参考图片

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CSD17556Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存：46,216(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥13.5261
3381.525
500
¥11.8311
5915.55
1,000
¥9.831
9831
2,500
¥9.1417
22854.25
5,000
¥8.8366
44183
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.15 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
191 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17556Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
197 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SBR2060CTI
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 SBR Diode
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.0227
参考库存:38651
BUK755R4-100E,127
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
暂无价格
参考库存:38656
ATP214-TL-H
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.1473
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:19474
LN6SB60-7000
Shindengen
分立半导体
桥式整流器 VRM=600 IFSM=170
1:¥22.2836
10:¥19.21
100:¥17.2099
250:¥16.0573
参考库存:38663
PSMP057-60YEX
Nexperia
分立半导体
MOSFET PSMP057-60YE LFPAK
1,500:¥2.4408
3,000:¥2.0566
10,500:¥1.9775
25,500:¥1.9097
参考库存:38668

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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