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分立半导体

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STGFW40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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库存：6,163(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.9677
319.677
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2838
6570.95
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW40V60F
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES3D R7G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.2318
100:¥2.4408
250:¥2.1131
850:¥1.3447
1,700:查看
参考库存:28912
UG06B R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 0,6A,100V,STD. ULTRAFAST RECTIFIER
1:¥4.4522
10:¥3.4578
100:¥2.3843
500:¥1.6498
5,000:¥1.09836
10,000:查看
参考库存:28917
HS3FB R5G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A,300V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥2.9945
100:¥2.0453
500:¥1.1413
850:¥1.02152
参考库存:28922
2A07GHR0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 2A,1000V,STD.GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.5369
100:¥2.2826
1,000:¥0.76049
3,500:¥0.63054
参考库存:28927
HS3JBHR5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥3.0736
100:¥2.0905
500:¥1.1639
850:¥1.04525
参考库存:28932

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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