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分立半导体
SQM50N04-4M0L_GE3参考图片

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SQM50N04-4M0L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
800
¥7.684
6147.2
2,400
¥7.2207
17329.68
4,800
¥6.9495
33357.6
9,600
¥6.6896
64220.16
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
110 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SK3742(Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch 900V 5A 45W PD Rdson 2.2 Ohm
暂无价格
参考库存:39861
1N5375A/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥14.1363
6,000:¥12.9837
参考库存:39866
SMBJ5386B/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥9.0626
6,000:¥8.5315
9,000:¥8.1473
参考库存:39871
R5000-B
Rectron
分立半导体
整流器 200mA 5000V
20,000:¥1.9888
参考库存:39876
JAN1N968C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
174:¥45.0305
250:¥41.3354
500:¥37.7307
1,000:¥32.8152
参考库存:39881

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