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FS75R12KE3_B9

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10
¥851.5454
8515.454
30
¥833.6349
25009.047
100
¥791.9153
79191.53
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KE3B9BOSA1 SP000721046
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EC103M2RP
Littelfuse
分立半导体
SCR 600V .8A 50uA
2,000:¥2.9719
参考库存:33826
2N4869A
InterFET
分立半导体
JFET N-Ch -40V JFET 50mA 300mW 1.7mW Audio
115:¥57.3249
500:¥52.2512
1,000:¥45.4938
参考库存:33831
TIP102
Central Semiconductor
分立半导体
达林顿晶体管 100Vcbo 100Vceo 5.0V IC 9A 80W
800:¥15.2098
参考库存:33836
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Diodes Incorporated
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稳压二极管 500MW 8.2V
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:727232

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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