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产品分类

分立半导体
STGWA30H65DFB参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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STGWA30H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package
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库存:32,020(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥16.3624
9817.44
1,200
¥13.8312
16597.44
3,000
¥13.1419
39425.7
5,400
¥12.5995
68037.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA30H65DFB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥538.8744
10:¥494.4654
25:¥443.751
50:¥393.0366
100:¥328.491
参考库存:44156
分立半导体
桥式整流器 100V 50A
400:¥22.7469
800:¥20.4417
1,200:¥17.2099
2,800:¥16.3624
5,200:¥15.7522
参考库存:44161
分立半导体
分立半导体模块
1:¥1,351.0054
5:¥1,318.4953
10:¥1,285.7592
25:¥1,267.7018
参考库存:44166
分立半导体
稳压二极管 3.0Volt 0.35Watt 2% AUTO
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:44171
分立半导体
JFET JFET P-Channel 30V 50mA 360mW 3.27mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:44176
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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